英特尔次世代处理器支持DDR4 DRAM 导入更强性能

2013-09-16 未知

       在英特尔下一代处理器将支援新世代记忆体DDR4 DRAM下,包括三星、美光及海力士及相关模组厂,近期也相继导入DDR4 DRAM试产行动,业者强调,DDR 4 DRAM因功耗低,运算速度更快,且支援矽钻孔(TSV)3D IC设计,预料明年可望成为伺服器新宠。
       DRAM业者表示,和DD3 DRAM比较,DDR4未来功耗将远低于1.2伏特,比现在的DDR 3 1.5伏特更低,而资料转换率每秒更达3.2Gb,同时具备16个族群,远比DDR3的资料转换率每秒2.13Gb、8个族群,资料处理速度更快且频宽更宽。
       不过,主导半导体技术标准的JEDEC,此次对未针对DDR4DRAM提出如DDR3 DRAM般公板设计,导致记忆体模组厂只能依照过去累积的设计能力,投入开发DDR 4 记忆体模组。
       日前率先在英特尔开发者论坛,领先业界针对企业用户、伺服器平台,展示新世代DDR4记忆体模组的威刚,表示看好DDR4 DRAM未来应用。
       威刚表示,未来仍会依循英特尔主导的规格进行相关DDR4设计,在JEDEC未制定公板下,将采客制化,依企业用户需求,提供这项更高性能的记忆体储存方案。
       威刚表示,由于DDR 4尚未处于量产阶段,初期价格预料也会非常昂贵,但因这项新记忆体导入更新的防错设计,也支援TSV 3D IC架构,是未来3D IC必备的新世代记忆体,初期将会切入伺服器等应用领域。
       据了解,包括三星、美光及SK海力士均已投入试产阶段;国内DRAM大厂华亚科和南科,也预定第4季开始试产。